含随机杂质二维伊辛模型中的成核率

成核现象在自然界中无处不在，而杂质存在于每一个真实和实验系统中是不可避免的。然而，成核的数值研究几乎总是在完全纯的系统上进行。我们研究了在随机位置的静态和动态杂质存在下二维伊辛模型中液滴自由能的行为。我们已经证明，对于静态情形，自由能势垒高度和临界核尺寸都随杂质密度增加而单调减小。我们比较了由经典成核理论和前向通量采样方法对不同密度静态杂质得到的成核率。结果显示良好一致。在动态杂质情形下，我们观察到在低温时杂质优先占据核的边界位置。这通过降低有效界面自由能进一步促进了成核率的增强。