二维拓扑绝缘体中核自旋诱导的边缘态局域化
介观与纳米尺度物理
2017-08-23 v2
摘要
我们研究了核自旋对二维拓扑绝缘体（2DTI）螺旋边缘态电阻的影响。通过超精细相互作用，核自旋允许了原本被时间反演对称性禁戒的电子背散射。我们识别了两种背散射机制，取决于核自旋是否有序。它们的温度依赖性截然不同，但都产生电阻，且该电阻随边缘长度增加、温度降低以及电子-电子相互作用强度增强而增大。总体而言，我们发现核自旋通常会在零温度下关闭 2DTI 边缘的电导。
引用
@article{arxiv.1703.03421,
title = {Nuclear-spin-induced localization of the edge states in two-dimensional topological insulators},
author = {Chen-Hsuan Hsu and Peter Stano and Jelena Klinovaja and Daniel Loss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.03421},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 3 figures, revised version accepted for publication in Phys. Rev. B