半金属锰氧化物隧道结中的新型量子自旋辅助隧穿

通过使用量子力学处理的双交换模型，研究了半金属锰氧化物隧道结中的电子隧穿。我们表明，由传导 $e_g$ 电子与锰氧化物离子的局域量子自旋之间的强 Hund 耦合引起的自旋激发，即使在电极磁化反平行排列的情况下，也会辅助电子隧穿通过结。这一机制产生了额外的隧穿电导，超出了 Julliere 模型所预测的电导。我们的理论与实验中观察到的锰氧化物隧道结中隧穿电导的电压依赖性吻合良好。