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双量子环中的或非门响应:一个精确结果

介观与纳米尺度物理 2009-11-20 v1 材料科学

摘要

研究了双量子环中的或非门响应,其中每个环被磁通量 ϕ\phi 穿过。该双量子环对称地夹在两个半无限一维金属电极之间,两个栅极电压 VaV_aVbV_b 分别施加在两个环的下臂上,这两个下臂被视为或非门的两个输入。使用简单的紧束缚模型描述系统,所有计算均通过格林函数形式完成。我们精确计算了电导-能量和电流-电压特性作为环-电极耦合强度、磁通量和栅极电压的函数。我们的数值研究表明,对于磁通量的典型值 ϕ=ϕ0/2\phi=\phi_0/2ϕ0=ch/e\phi_0=ch/e,基本磁通量子),如果门的两个输入均为低(0),则出现高输出电流(1)(在逻辑意义上);而如果其中一个或两个输入为高(1),则出现低输出电流(0)。这清楚地展示了或非门行为,这一特性可用于设计电子逻辑门。

关键词

引用

@article{arxiv.0911.1903,
  title  = {NOR gate response in a double quantum ring: An exact result},
  author = {Santanu K. Maiti},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0911.1903},
  year   = {2009}
}

备注

8 pages, 5 figures