双量子环中的或非门响应:一个精确结果
介观与纳米尺度物理
2009-11-20 v1 材料科学
摘要
研究了双量子环中的或非门响应,其中每个环被磁通量 穿过。该双量子环对称地夹在两个半无限一维金属电极之间,两个栅极电压 和 分别施加在两个环的下臂上,这两个下臂被视为或非门的两个输入。使用简单的紧束缚模型描述系统,所有计算均通过格林函数形式完成。我们精确计算了电导-能量和电流-电压特性作为环-电极耦合强度、磁通量和栅极电压的函数。我们的数值研究表明,对于磁通量的典型值 (,基本磁通量子),如果门的两个输入均为低(0),则出现高输出电流(1)(在逻辑意义上);而如果其中一个或两个输入为高(1),则出现低输出电流(0)。这清楚地展示了或非门行为,这一特性可用于设计电子逻辑门。
引用
@article{arxiv.0911.1903,
title = {NOR gate response in a double quantum ring: An exact result},
author = {Santanu K. Maiti},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.1903},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 5 figures