双量子环中的电子输运：与门行为的证据

我们探索了双量子环中的与门响应，其中每个环都穿过一个磁通量 $\phi$。该双量子环对称地连接到两个半无限一维金属电极，并且两个栅极电压 $V_a$ 和 $V_b$ 分别施加在两个环的下臂上，这两个下臂被视为与门的两个输入。该系统在紧束缚框架下描述，并使用格林函数形式进行计算。我们数值计算了电导-能量和电流-电压特性，作为环-电极耦合强度、磁通量和栅极电压的函数。我们的研究表明，对于磁通量的典型值 $\phi=\phi_0/2$（$\phi_0=ch/e$，基本磁通量子），只有当门的两个输入都为高（1）时，才会出现高输出电流（1）（在逻辑意义上），而如果两个输入都不为高或只有一个输入为高（1），则会产生低输出电流（0）。这清楚地展示了与门行为，这一特性可用于设计电子逻辑门。