电荷密度波绝缘体中栅极诱导电阻转变的非平衡动力学
介观与纳米尺度物理
2025-12-11 v2 强关联电子
摘要
我们针对 Holstein 模型的电荷密度波(CDW)相中栅极诱导的绝缘体-金属转变进行了全面的数值研究。我们进行了大规模布朗动力学模拟,其中作用于晶格自由度的力使用非平衡格林函数形式计算。我们证明 CDW 不稳定性的 onset 需要由隙内边缘模能量设定的阈值偏置电压。在足够大的电压下,系统经历向金属态的突变转变,令人联想到介电击穿。在中等电压区间,我们的模拟揭示向低阻态的转变始于在栅极电极处成核的薄导电层。由此形成的金属-绝缘体界面随后在施加偏置下横跨系统传播,导致金属畴的生长。我们进一步分析了相关畴壁的依赖电压和温度的动力学。
引用
@article{arxiv.2201.02194,
title = {Nonequilibrium Dynamics of Gating-Induced Resistance Transition in Charge Density Wave Insulators},
author = {Sheng Zhang and Yunhao Fan and Gia-Wei Chern},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.02194},
year = {2025}
}
备注
7 pages, 5 figures