基于 PZT/FeGa 薄膜忆阻晶体管的非易失性存储器
应用物理
2023-10-24 v1 材料科学
摘要
制备了 PZT/FeGa 薄膜忆阻晶体管,并研究了外磁场和电场对磁电系数的调制。PZT/FeGa 忆阻晶体管的磁电系数可通过翻转 FeGa 的磁化方向或 PZT 的铁电极化来反转。值得注意的是,在外部磁场保持不变时,可通过反转 PZT 的铁电极化重复切换磁电系数的符号。此外,在零直流偏置磁场下仍能保持二元开关行为。当极化方向保持稳定时,磁电系数也不发生变化。这意味着 PZT/FeGa 的磁电系数具有非易失性。进一步研究了 PZT/FeGa 薄膜忆阻晶体管的保持与耐久特性。这些发现证明了 PZT/FeGa 薄膜忆阻晶体管在非易失性存储应用中的潜力。
引用
@article{arxiv.2310.14900,
title = {Non-volatile memory based on PZT/FeGa thin film memtranstor},
author = {Jin-Cheng He and Jian Xing and Jian-Xin Shen and Dan Su and En-Ke Liu and Shou-Guo Wang and Young Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.14900},
year = {2023}
}
备注
10 pages, 4 figures