掺杂 Mott 绝缘体的非费米液体区域
强关联电子
2016-08-31 v2 超导电性
摘要
我们研究了在磁交换中存在淬火无序阻挫时 Mott 绝缘体的掺杂。发现了一个低掺杂区域 δ<J/t,其中准粒子相干尺度较低:ε_F^* = J (δ/δ^*)^2,其中 δ^*=J/t(典型交换与跳跃之比)。在“量子临界区域” ε_F^*<T<J 中,多个物理量表现出 Marginal Fermi Liquid 行为:NMR 弛豫时间 1/T_1~常数,电阻率 ρ_dc(T) ∝ T,光学寿命 τ_opt^{-1}∝ ω/ln(ω/ε_F^*),响应函数满足 ω/T 标度,例如 J∑_q χ''(q,ω) ∝ tanh(ω/2T)。相比之下,单电子性质在该区域表现出对费米液体理论更强的偏离,具有单粒子寿命倒数的 √ω 依赖性和光电子发射强度的 1/√ω 衰减。基于该模型和各种实验证据,我们认为,分离玻璃态 Mott-Anderson 绝缘体与金属基态的量子临界点的邻近性是铜氧化物超导体(特别是 Zn 掺杂材料)正常态物理的重要组成。在这种图景中,相应的量子临界区域是自旋和空穴的“泥泞”态,其缓慢的自旋和电荷动力学导致了正常态的异常性质。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9806119,
title = {Non-Fermi liquid regime of a doped Mott insulator},
author = {Olivier Parcollet and Antoine Georges},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9806119},
year = {2016}
}
备注
40 pages, RevTeX, including 13 figures in EPS. v2 : minor changes, some references added