氮同位素对六方氮化硼中硼空位量子传感器的影响
量子物理
2023-09-25 v3 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
近年来，将六方氮化硼(hBN)用于量子技术的研究兴趣日益增长。在此，我们研究通过复分解反应合成的N同位素富集hBN中氮同位素对硼空位(V)缺陷(量子传感器的候选者之一)的影响。拉曼位移随约化质量缩放，与先前关于硼同位素富集的工作一致。我们获得了V缺陷的依赖于氮同位素组成的磁共振谱，并确定N自旋的超精细相互作用参数大小为64 MHz。我们的研究为用于量子传感的hBN设计提供了策略。
引用
@article{arxiv.2307.04476,
title = {Nitrogen isotope effects on boron vacancy quantum sensors in hexagonal boron nitride},
author = {Kento Sasaki and Takashi Taniguchi and Kensuke Kobayashi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.04476},
year = {2023}
}