近场热存储器件
材料科学
2014-11-04 v2
摘要
我们报道了一种基于近场辐射双稳态效应的存储器件概念，该系统由两块紧密间隔的平行 SiO 和 VO 平板组成，它们在真空中通过热辐射交换热量。我们证明，具有 340 K 金属 - 绝缘体相变特性的 VO 平板存在两个热力学稳态。可以利用外部激光脉冲在这些状态之间进行切换。我们表明，由于平板间的近场光子隧穿效应，切换时间仅为 5 ms，比远场情况低了几个数量级。
引用
@article{arxiv.1408.5831,
title = {Near field thermal memory device},
author = {S. A. Dyakov and J. Dai and M. Yan and M. Qiu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.5831},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 4 figures