静态 regime 下基于VO2的辐射热晶体管
光学
2017-10-31 v1
摘要
我们研究一种近场辐射热晶体管，类比于电子晶体管，其由置于两片二氧化硅半无限大平板（分别充当晶体管集电极与发射极）之间的VO2基极构成。利用VO2呈现绝缘体到金属转变这一性质，通过对VO2基极施加热流来调制和/或放大发射极与集电极间的热通量。我们研究了晶体管在4种典型 regime 下的行为，其中发射极-基极与基极-集电极的间距可大于或小于热波长，且VO2层可 opaque 或 transparent。计算并分析了热流随基极温度的变化。找到了使热晶体管调制因子最大化的基极厚度与间距的最优配置。
引用
@article{arxiv.1710.10332,
title = {VO 2 -based radiative thermal transistor in the static regime},
author = {Hugo Prod'Homme and Jose Ordonez-Miranda and Younes Ezzahri and Jérémie Drevillon and Karl Joulain},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.10332},
year = {2017}
}