深度欠掺杂 Bi$_{2}$Sr$_{2}$CuO$_{6+\delta}$ 和 Ca$_2$CuO$_2$Cl$_2$ 中的纳米尺度相分离
超导电性
2015-06-19 v1
摘要
我们证明，深度欠掺杂 BiSrCuO (Bi2201) 和 CaCuOCl (CCOC) 中的隧穿谱为纳米尺度相分离 (NPS) 提供了明确证据，这种相分离导致能隙随掺杂而填充而非闭合。该相分离延伸的掺杂范围从半满填充至约 。假设 NPS 呈条纹 (stripes) 形式，则我们将节点能隙建模为库仑能隙，其源于带电条纹的杂质钉扎，并最终驱动金属 - 绝缘体转变。
引用
@article{arxiv.1405.3992,
title = {Nanoscale phase separation in deep underdoped Bi$_{2}$Sr$_{2}$CuO$_{6+\delta}$ and Ca$_2$CuO$_2$Cl$_2$},
author = {Peter Mistark and Robert S. Markiewicz and Arun Bansil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.3992},
year = {2015}
}