介电效应导致的 M5 膜 $N^3$ 熵
高能物理 - 理论
2012-11-09 v4
摘要
我们观察到，近极端 M5 膜的 熵行为可以在 SYM 侧通过 Myers 项的作用重现。我们首先推广了展示 熵行为的 Klebanov-Tseytlin (KT) 超引力解。新解的特征是 M5 膜的“内部”自由度（即 M0 膜和 M2 膜）变得可见。基于超引力分析提供的理由，我们考虑了一个带有 Myers 项的 D0 膜量子力学设置。利用定位技术，我们表明自由能的主导 行为来自“经典贡献”，其余部分为次主导。
引用
@article{arxiv.1204.2711,
title = {$N^3$ entropy of M5 branes from dielectric effect},
author = {E. Hatefi and A. J. Nurmagambetov and I. Y. Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.2711},
year = {2012}
}
备注
latex, 21 pages, missing figure added