Muonium 作为 GaN 中的浅中心
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们首次在 25 K 以下的单晶 GaN 中观察到一种极小超精密参数的 paramagnetic 型 muonium (Mu) 状态。其高度各向异性的超精密结构沿 [0001] 方向呈轴向对称性，表明其位于沿 c 轴方向的氮-反键或键中心位置。其小的电离能(≤ 14 meV)和小的超精密参数(约为真空值的 倍)表明，muonium 在其可能的某一位置产生浅状态，为 as-grown GaN 中类似氢中心作为 n 型导电源提供了可能性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0402155,
title = {Muonium as a shallow center in GaN},
author = {K. Shimomura and R. Kadono and K. Ohishi and M. Mizuta and M. Saito and K. H. Chow and B. Hitti and R. L. Lichti},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0402155},
year = {2009}
}
备注
4 figures, to be published in Phys. Rev. Letters