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n型砷化镓中缪子态交换动力学

材料科学 2023-05-10 v1

摘要

缪子(Mu)是以带正电缪子取代质子的氢伪同位素原子,可在多种半导体材料中形成。它们可呈现不同状态,取决于其电荷态及晶格内的微观位置。在缪子形成后,它们与自由载流子、电子自旋及其他缪子位置发生相互作用,形成动态的状态交换网络。我们利用密度矩阵模拟和光激发缪子自旋谱技术,确定了 n 型砷化镓中缪子动力学的模型。对暗态与光照下 μ\muSR 数据的拟合给出了缪子态之间的跃迁速率,进而揭示了 μ\muSR 时间谱的潜在机制。推导出的缪子态俘获/散射截面反映了缪子的微观动力学。光照研究使我们能够测量缪子与所产生的少数载流子之间的相互作用,而这在暗态测量中无法获得。我们在本研究中开发的方法可应用于其他半导体体系,以更深入地从微观上理解缪子态交换动力学。

关键词

引用

@article{arxiv.2305.05513,
  title  = {Muonium state exchange dynamics in n-type Gallium Arsenide},
  author = {K. Yokoyama and J. S. Lord and P. W. Mengyan and M. R. Goeks and R. L. Lichti},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2305.05513},
  year   = {2023}
}