MultiShifter：用于生成三维与二维晶体中扩展二维缺陷结构模型的软件
材料科学
2021-01-26 v3
摘要
晶体中的扩展缺陷，如位错、层错和晶界，在决定多种材料性能方面起着关键作用。扩展缺陷还可在二维材料中导致新颖的电子特性，如近期在扭转石墨烯双层中发现的涌现电子现象所示。本文描述了几种为第一性原理电子结构计算构建晶体中二维扩展缺陷的晶体学模型的方法，包括（i）用于断裂研究和位错中尺度模型的广义内聚区模型参数化晶体学模型，以及（ii）扭转双层的晶体学模型。这些方法在一个名为 MultiShifter 的开源软件包中实现。
引用
@article{arxiv.2011.10734,
title = {MultiShifter: software to generate structural models of extended two-dimensional defects in 3D and 2D crystals},
author = {Jon Gabriel Goiri and Anton Van der Ven},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.10734},
year = {2021}
}