通过类金刚石碳涂层抑制介质辅助加速结构中的二次电子倍增效应
加速器物理
2021-02-24 v1
摘要
二次电子倍增放电在加速器领域被广泛观察到，人们已研究其抑制方法以改善加速器性能。介质辅助加速（DAA）腔是一种驻波加速腔，利用介质层的反射在室温下获得超过100,000的Q值；DAA腔有望与小型RF功率源和高占空比运行配合使用。迄今为止，DAA腔的最大加速场因二次电子倍增效应而被限制在几MV/m。通过施加类金刚石碳（DLC）涂层以降低二次电子发射系数而不牺牲腔的Q值，我们已证明可将 的RF脉冲注入场强超过10~[MV/m]的DAA腔，同时抑制二次电子倍增效应。
引用
@article{arxiv.2009.12786,
title = {Multipactor suppression in dielectric-assist accelerating structures via diamond-like carbon coatings},
author = {Shingo Mori and Mitsuhiro Yoshida and Daisuke Satoh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.12786},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 5 figures