LCLS-II 与 LCLS-II-HE 低温模组中的二次电子倍增处理
加速器物理
2023-07-03 v1
摘要
二次电子倍增（MP）是一种可能影响粒子加速器稳定性并限制超导射频腔性能的现象。在 LCLS-II（L2）与 LCLS-II-HE（HE）项目中使用的 TESLA 型、1.3 GHz、9 腔腔体中，MP 带（~17-24 MV/m）位于所需加速梯度范围内。对于 HE，20.8 MV/m 的工作梯度完全处于 MP 带内，且低温模组测试已确认这是一个问题。因此，将讨论 HE 低温模组测试项目中的 MP 处理。还将展示在安装于 L2 直线加速器中的低温模组内进行 MP 处理的早期结果，表明低温模组验收测试中所用方法在加速器 MP conditioning 中同样成功，且该处理在中期内得以保持。
引用
@article{arxiv.2306.17274,
title = {Multipacting Processing in Cryomodules For LCLS-II And LCLS-II-HE},
author = {A. Cravatta and T. Arkan and D. Bafia and J. Kaluzny and S. Posen and J. Vennekate and M. Drury and S. Aderhold and M. Checchin and D. Gonnella and J. Hogan and J. Maniscalco and J. Nelson and R. Porter and L. Zacarias},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.17274},
year = {2023}
}
备注
21st Intl Conf Radio Frequency Superconductivity (SRF 2023)