基于多铁性氧化物的闪存与自旋场效应晶体管
材料科学
2015-05-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出了一种改进的自旋场效应晶体管，该晶体管制作在具有横向螺旋磁序的多铁性氧化物表面形成的二维电子气（2DEG）中。氧化物局域磁矩的拓扑结构诱导出一种共振的、依赖于动量的有效自旋-轨道相互作用，作用于二维电子气。我们证明自旋极化退相被强烈抑制，这对功能性至关重要。载流子自旋进动相位与磁螺旋手性呈线性关系。后者通过磁电效应可电控。我们还提出了一种基于该结构的闪存器件。
引用
@article{arxiv.0906.4210,
title = {Multiferroic oxides-based flash-memory and spin-field-effect transistor},
author = {Chenglong Jia and Jamal Berakdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.4210},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in Appl. Phys. Lett