基于多保真高斯过程的 Si:H 纳米线经验势开发
计算物理
2020-05-19 v1 机器学习
机器学习
摘要
在材料建模中，使用经验势的计算速度比第一性原理计算快，但结果不如第一性原理计算准确。第一性原理计算准确但缓慢且计算代价非常高。本工作中，首先使用第一性原理计算 H-H 结合能和 H-H 相互作用能，其可应用于 Tersoff 经验势。其次，估算 H-H 参数。拟合 H-H 参数后，获得力学性质。最后，为整合低保真经验势数据和高保真第一性原理计算数据，采用多保真高斯过程回归预测 H-H 结合能和 H-H 相互作用能。数值结果证明了所开发经验势的准确性。
引用
@article{arxiv.2005.08638,
title = {Multi-Fidelity Gaussian Process based Empirical Potential Development for Si:H Nanowires},
author = {Moonseop Kim and Huayi Yin and Guang Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.08638},
year = {2020}
}
备注
7pages, 9 figures, 1 table