Mo$_8$Ga$_{41}$ 中由位点选择性机制驱动的多带超导

内嵌镓簇化合物家族近来作为一类新超导家族出现,有望承载展现非常规物理的体系。Mo$_8$Ga$_{41}$ 是该家族重要成员,呈现较大 $T_c \sim$ 10 K,并显示出强电子-声子耦合与多带超导的迹象。此处,通过扫描隧穿谱(STS)对超导能隙的直接测量,我们证明了 Mo$_8$Ga$_{41}$ 中存在两个 distinct 超导能隙,大小分别为 0.85 meV 与 1.6 meV。两能隙均表现为常规性质,因其随温度按 BCS 理论预言系统演化。我们的能带结构计算揭示,仅单位胞中两个特定 Mo 位点对超导有贡献,其中仅 $d_{xz}$/$d_{yz}$ 与 $d_{x^2-y^2}$ 轨道贡献显著。我们的分析表明,位点选择性贡献主导了 Mo$_8$Ga$_{41}$ 超导的两能隙本质。