六方硅纳米管中的单空位与替代缺陷
材料科学
2007-09-11 v1
摘要
我们通过第一性原理研究了六方单壁硅纳米管中单空位和替代缺陷的几何与电子结构。C、Al 或 P 原子被选为替代杂质。研究发现，单空位或替代杂质这类缺陷会导致六方单壁硅纳米管发生形变。在两种情况下，由于这种局部形变，费米能级附近出现了一个相对局域化的未占据态。讨论了不同替代杂质在几何与电子性质上的差异。
引用
@article{arxiv.0709.1299,
title = {Monovacancy and Substitutional Defects in Hexagonal Silicon Nanotubes},
author = {Gunn Kim and Suklyun Hong},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1299},
year = {2007}
}
备注
5 figures