关联近藤晶格模型中的矩屏蔽
强关联电子
2015-06-11 v1
摘要
研究了半满填充关联二维近藤晶格模型中的磁关联、局域矩和磁化率。我们计算了它们对控制参数 J_K/t 和 U/t 的系统依赖性。对于小尺寸方形晶格瓦片，采用了用于基态性质的无偏且可靠的精确对角化 (ED) 方法，以及用于比热和均匀磁化率的有限温度 Lanczos 方法 (FTLM)。这导致了两个主要结果：首先，我们表明对于弱近藤耦合 J_K，被屏蔽的局域矩作为 U 的函数表现出非单调行为。其次，从 FTLM 获得的磁化率温度依赖性允许提取特征近藤温度标度 T* 对关联强度 U 的依赖性。发现了 T* 在小 U 时的单调增加，解决了早期研究中的模糊性。在大 U 极限下，该模型等效于具有两种类型局域自旋的二维近藤项链模型。在此极限下，数值结果可与平均场处理下的解析键算符方法结果进行比较，并发现总顺磁矩具有极好的一致性，支持了两种方法的可靠性。
引用
@article{arxiv.1209.3670,
title = {Moment screening in the correlated Kondo lattice model},
author = {M. Siahatgar and B. Schmidt and G. Zwicknagl and P. Thalmeier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.3670},
year = {2015}
}
备注
19 pages, 9 figures