基于范德华修正半局域密度泛函的分子-表面相互作用：以噻吩在过渡金属表面的吸附为例
材料科学
2020-03-04 v2
摘要
半局域密度泛函近似被广泛使用。它们均无法捕捉分离子系统间的长程范德华（vdW）吸引，但在捕捉 responsible for 相邻小闭壳子系统间平衡键的中程 vdW 效应方面差异显著。局域密度近似（LDA）常高估此效应，而 Perdew-Burke-Ernzerhof（PBE）广义梯度近似（GGA）低估之。强约束且适当归一化（SCAN）元 GGA 常能较好估计。所有这些半局域泛函均需如修订 Vydrov-Van Voorhis 2010（rVV10）之类的附加非局域修正以捕捉长程部分。本工作报道芳香族噻吩（CHS）吸附于过渡金属表面的吸附能及相应几何结构。该吸附过程需要共价与弱键合的真正相互作用，并需要对表面与吸附能同时精确描述且正确预测吸附位点。对于所有这些量，必须来自短程与长程关联效应良好平衡的方法，方能作为具化学精度的弱相互作用普适适用方法。
引用
@article{arxiv.1906.01091,
title = {Molecule-surface interaction from van der Waals-corrected semilocal density functionals: the example of thiophene on transition-metal surfaces},
author = {Santosh Adhikari and Hong Tang and Bimal Neupane and Gabor I. Csonka and Adrienn Ruzsinszky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.01091},
year = {2020}
}