多金属氧酸盐在硅基分子结电子传输中的分子特征
介观与纳米尺度物理
2018-10-09 v1 应用物理
摘要
多金属氧酸盐（POMs）是非常规的电活性分子，若在电极上具备高效的加工步骤，则在分子存储器中具有很大的应用潜力。本文报道了带有远端重氮官能团的有机-无机多金属氧酸盐杂化物[PMO(Sn(CH)CC(CH)N)]（M = Mo, W）的合成，以及它们在氢化n-Si(100)衬底上的共价固定。以汞滴作为顶电极接触所得致密单层进行的电子传输测量证实了其均匀性。用Simmons方程拟合电流-电压曲线，得到基于多钨酸盐（M = W）和多钼酸盐（M = Mo）的硅-分子-金属（SMM）结的平均隧穿势垒分别为1.8 eV和1.6 eV。这与溶液中POMs的电化学性质的趋势一致：多钼酸盐比多钨酸盐更容易还原，这与较低能量的最低未占分子轨道（LUMOs）相符。因此，POMs的分子特征在固态电学性质中清晰可辨，而POM分子与电子结构的无与伦比的多样性应提供极大的可调性。
引用
@article{arxiv.1809.00708,
title = {Molecular Signature of Polyoxometalates in Electron Transport of Silicon-based Molecular Junctions},
author = {Maxime Laurans and Kevin Dalla Francesca and Florence Volatron and Guillaume Izzet and David Guerin and Dominique Vuillaume and Stephane Lenfant and Anna Proust},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.00708},
year = {2018}
}