铜中空位对位错钉扎的分子动力学研究
材料科学
2007-05-23 v3
摘要
通过分子动力学模拟研究了空位与铜中位错之间的相互作用。领先部分和尾随部分的脱钉应力显示出质事实上不同的行为。尾随部分的脱钉应力随空位半径呈对数增长,而领先部分的脱钉应力在1 nm处出现交叉,此后两个部分同时被空点捕获。表征障碍强度的钉扎角趋于在空位半径超过3 nm时趋于零。在临界应力和临界角中未发现温度依赖性,这归因于无爬升运动。空位中心与滑移面之间的距离不对称地影响钉扎强度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412697,
title = {Molecular dynamics investigation of dislocation pinning by a nanovoid in copper},
author = {Takahiro Hatano and Hideki Matsui},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412697},
year = {2007}
}
备注
9 pages