通过Cr3+掺杂调控Zn2SiO4: Mn2+纳米磷光体的阱属性，用于光信息存储
材料科学
2024-05-07 v1
摘要
光致发光材料是下一代光信息存储技术中最具吸引力的替代方案。然而，对于光信息存储仍存在调控发光材料合适能级的挑战。本文首次通过溶液燃烧法制备了具有阱深1.05 eV的绿色发光纳米磷光体Zn2SiO4: Cr3+, Mn2+，满足光信息存储需求。系统研究了Zn2SiO4: xCr3+, yMn2+的晶体结构、微观形貌、光致发光(PL)、光致发光激发(PLE)以及余辉特性。通过阱深工程策略，当Cr3+离子掺杂Zn2SiO4: Mn2+时，观察到高阱密度和合适的阱深。通过初始升高(IR)方法进行热致发光(TL)斜坡曲线分析，以了解阱的信息。作为应用证明，通过选择275 nm光照进行信息写入和980 nm近红外激发进行信息读取实现了信息存储。结果表明，Zn2SiO4: Cr3+, Mn2+磷光体有望应用于光信息存储领域。
引用
@article{arxiv.2405.03400,
title = {Modulating trap properties by Cr3+-doping in Zn2SiO4: Mn2+ nano phosphor for optical information storage},
author = {Xin Yi and Hui Liu and Yihuan Wang and Junjie Chen and Zhanglin Chen and Yuzhen Wang and Xuanyi Yuan and Kaiming Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.03400},
year = {2024}
}