氙离子低能量溅射六方氮化硼的建模
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
低能量氙离子轰击导致的六方氮化硼溅射发生在多种应用中，包括立方氮化硼的制备和霍尔推力器通道壁的侵蚀。在低离子能量下，由于溅射产额较低，精确的实验表征变得困难。采用分子动力学模型模拟溅射过程，并计算了从 10 eV 到 350 eV 离子能量范围内的溅射产额。结果与实验数据进行比较，发现 Bohdansky 发展的半经验表达式能够充分描述模拟数据。还研究了表面温度效应，850 K 时的溅射产额约为 423 K 时的两倍。
引用
@article{arxiv.0802.1960,
title = {Modeling low energy sputtering of hexagonal boron nitride by xenon ions},
author = {John T. Yim and Michael L. Falk and Iain D. Boyd},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.1960},
year = {2009}
}
备注
19 pages, 8 figures