FeTe薄膜的迁移率分析
超导电性
2015-03-17 v2
摘要
对非超导和超导FeTe薄膜的霍尔效应进行了详细研究。霍尔系数通常表现出符号反转，从高温顺磁态的正值变为低温反铁磁态的负值。通过简单的双带Drude模型进行的唯象分析表明，空穴迁移率在反铁磁态下受到显著抑制。当空穴迁移率的抑制不足时，FeTe中会出现超导性。该结果强烈表明，空穴和电子通道的巡游性是铁硫族化合物超导体发生超导的关键因素。
引用
@article{arxiv.1009.6035,
title = {Mobility analysis of FeTe thin films},
author = {I. Tsukada and M. Hanawa and Seiki Komiya and A. Ichinose and T. Akiike and Y. Imai and A. Maeda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.6035},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 3 figures. Accepted for publication in J. Phys. Soc. Jpn