YBa$_2$Cu$_3$O$_x$单晶微波表面阻抗各向异性：不同氧含量下的测量

在9.4 GHz频率下测量了生长于BaZrO$_3$坩埚中制备的高品质YBa$_2$Cu$_3$O$_x$单晶的线性微波响应，考虑rf磁场平行于$ab$面和垂直于$ab$面的情况，测量温度范围为5$\leq T\leq 200$ K。通过求解磁场在样品表面的分布的解析解，我们确定了$ab$面上的表面阻抗$Z_{ab}=R_{ab}+iX_{ab}$以及沿c轴方向的$Z_c=R_c+iX_c$。首次获得了同一样品在不同氧含量范围内$Z_{ab}(T)$和$Z_c(T)$随温度变化规律。对于$x=6.95$（最佳氧含量），$\sigma_{c}''(T)/\sigma_{c}''(0)$的虚部温度依赖性与$\sigma_{ab}''(T)/\sigma_{ab}''(0)$十分相似，且随$x值降低而变得更凸。