场驱动 SOS 界面 microstructure 与速度：解析近似与数值结果
统计力学
2009-11-07 v1 材料科学
摘要
研究受场驱动的二维动力学 Ising 铁磁体中 solid-on-solid (SOS) 界面局部结构，通过解析的均匀场非响应理论 [P.A. Rikvold 和 M. Kolesik, J. Stat. Phys. 100, 377 (2000)] 以及动力学蒙特卡罗模拟。获得了单个界面步骤高度概率密度的解析表达式和模拟结果。发现概率密度宽度随施加场的大小而显著增大，理论预测与模拟结果一致。对于场依赖性和各向异性界面速度，理论与模拟之间也表现出 excellent agreement。通过模拟获得了最近邻步骤高度的联合分布。结果显示，随场的增大，步骤高度之间的相关性增大，类似于其他生长表面中观察到的偏斜程度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204438,
title = {Microstructure and Velocity of Field-Driven SOS Interfaces: Analytic Approximations and Numerical Results},
author = {P. A. Rikvold and M. Kolesik},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204438},
year = {2009}
}
备注
18 pages RevTex4 with imbedded figures