有序绝缘体中阻变的微观理论：电子机制与热机制
强关联电子
2017-04-20 v2
摘要
我们研究了有序关联绝缘体在强电压偏置驱动出平衡态时电阻的剧烈转变。在相互作用电子的驱动-耗散晶格上的微观计算解释了阻变(RS)的主要实验特征，例如滞回 - 曲线和热导电细丝的形成。RS上能量分辨的电子分布揭示了潜在的非平衡电子机制，即朗道-齐纳隧穿，并且也证明了一个热描述的正确性，其中根据分布一阶矩估计的热电子温度与平衡相变温度相匹配。我们讨论了细丝生长与负微分电阻之间的纠缠关系，以及晶体结构和无序在RS中的影响。
引用
@article{arxiv.1608.01931,
title = {Microscopic Theory of Resistive Switching in Ordered Insulators: Electronic vs. Thermal Mechanism},
author = {Jiajun Li and Camille Aron and Gabriel Kotliar and Jong E. Han},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.01931},
year = {2017}
}
备注
16 pages, 5 figures