集体指数小电阻态的微观起源

J. C. Phillips

doi:10.1016/S0038-1098(03)00350-8

集体指数小电阻态的微观起源

材料科学 2009-11-10 v2

作者: J. C. Phillips

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摘要

在静磁场 B 和受强微波 (MW) 辐射的高迁移率二维电子体系 (2DES) 中形成的“零”(指数型小)电阻态 (ESRS) 已引起广泛的理论兴趣。这些态似乎与一种新的能隙 $\Delta$ 相关联。本文通过一个涉及素数定理的微观量子模型来解释该能隙 $\Delta$ ——素数定理此前仅用于数学领域。

关键词

指数型小电阻态二维电子体系微波辐射能隙素数定理

引用

@article{arxiv.cond-mat/0303184,
  title  = {Microscopic origin of collective exponentially small resistance states},
  author = {J. C. Phillips},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0303184},
  year   = {2009}
}

备注

9 pages, submitted to Solid State Communications

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