[Co/Pd]IrMn薄膜中微结构对局域磁输运的影响
材料科学
2024-06-12 v1 应用物理
摘要
我们在具有100微米窗口的微结构交换偏置[Co/Pd]IrMn多层薄膜中，测量了垂直磁场下的局域磁输运（MT）信号，包括磁电阻（MR）和异常霍尔效应（EHE）。我们发现当在窗口周围局域测量时，MT信号偏离预期行为。我们研究了可能的原因，包括薄膜微结构、电接触几何以及偏离法向的磁场倾斜。这些MT测量采用Van-der-Pauw法进行，一组四个微观接触直接环绕窗口，另一组四个接触位于距窗口数毫米处。我们发现将磁场方向相对于法向倾斜并不会显著影响MT信号，而接触的位置和几何似乎高度影响MT信号。当接触直接环绕窗口时，EHE信号的形状被剧烈畸变，表明电子路径受到窗口存在及电接触邻近的扰动。另一方面，若接触相距足够远，MT信号不受窗口存在的显著影响。此外，在内接触上测得的畸变EHE信号可建模为外接触上测得的EHE与MR信号的混合。
引用
@article{arxiv.2111.05491,
title = {Micro-structuration effects on local magneto-transport in [Co/Pd]IrMn thin films},
author = {C. Walker and M. Parkes and C. Olsson and D. Keavney and E. E. Fullerton and K. Chesnel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.05491},
year = {2024}
}