几何失调电子系统中的金属-绝缘相变、自旋隙生成与电荷有序
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
我们基于三维黄石晶格和二维棋盘格晶格上的 Hubbard 模型，研究了几何失调电子系统中实现的（半）金属到绝缘体相变(MIT)。运用重整化群方法和均场分析，我们表明在半填满情况下，MIT 由于几何失调与电子关联之间的相互作用而发生。在绝缘相中，具有自旋隙，自旋旋转对称性未被破坏，但存在电荷有序。电荷有序状态通过松弛自旋自由度中的几何失调而稳定。我们还讨论了由电荷有序引起的晶格结构变形。所得结果成功地描述了黄石系统中 中观察到的 MIT。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302561,
title = {Metal-to-Insulator Transition, Spin Gap Generation, and Charge Ordering in Geometrically Frustrated Electron Systems},
author = {Satoshi Fujimoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302561},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 10 figures