单分子Borromean环器件中增强整流的机制
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了在通过金纳米线上的电断裂结技术形成的栅控双势垒隧穿结（DBTJ）中，单个Borromean环配合物（有和没有锚定基团）的电荷输运。虽然使用任一形式的Borromean环都可以观察到常见的单分子器件特性，但带有锚定基团的配合物在相对较高比例的样品中表现出强烈的导电整流效应。我们展示了我们的数据以及一个简单模型，该模型强调了连接到电活性元件上的弱键合锚定基团的排列和组成可能促进导致整流的器件配置的机制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611161,
title = {Mechanism of Enhanced Rectification in Unimolecular Borromean Ring Devices},
author = {G. D. Scott and K. S. Chichak and A. J. Peters and S. J. Cantrill and J. F. Stoddart and H. W. Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611161},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures