单分子晶体管中差分导电峰的互换

尽管单分子晶体管已在实验研究中被使用多年，然而仍有许多关于电荷传输的细节尚未阐明。我们采用电迁移技术，在由电子束光刻定义的金属线的最窄部分制造一个纳米尺寸的间隙，用于托管单个分子。我们使用最近合成的仿佘环复合物作为晶体管器件的活性分子元件。众所周知，在单分子晶体管中，当源漏电压进行扫描时，常会出现一个导电间隙——即在 V_sd ≈ 0 处中心对称的零导电区。我们观察到，这些导电间隙两侧的差分导电峰会随着门电压的改变而互换位置。我们将这一特性关联到主导电荷载流子通过分子的载子类型发生变化的结果。也就是说，当分子能级通过电流从空穴流变为电子流时，才会引起测得的差分导电的变化。