体带光电子的矩阵元诱导自旋极化
材料科学
2018-11-01 v2
摘要
软 X 射线范围内的角分辨或 分辨光电子能谱可用于获取材料的体电子结构。此处将该技术扩展至自旋自由度。为排除交换分裂能带中初态自旋极化的影响，选用了一种非磁性材料（钨）。通过测量不同光螺旋性下的两种自旋极化，可以区分圆偏振 X 射线引起的光学自旋取向贡献（Fano 分量）与源自末态分波干涉的第二分量。这两种现象迄今为止仅在低光子能量下被观测到。在 X 射线范围内探测到它们，是通向体光发射中“完备实验”的里程碑。
引用
@article{arxiv.1810.11403,
title = {Matrix-element induced spin polarization of photoelectrons from bulk bands},
author = {Dmitry Vasilyev and Katerina Medjanik and Sergey Babenkov and Martin Ellguth and Gerd Schönhense and Hans-Joachim Elmers},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.11403},
year = {2018}
}