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磁通弛豫现象的数学模型

超导电性 2010-09-10 v2

摘要

对II型超导体磁通弛豫现象的研究十分重要,因为其提供了关于超导体磁通钉扎能力与载流能力的信息。然而,目前尚无关于磁通弛豫的统一理论。在此,我提出一个磁通弛豫的通用数学模型。在该模型中,我提出了激活能的级数展开,并推导了电流衰减行为的一般公式。基于这些公式,我能够分析电流衰减行为的实验数据,进而不受任何特殊条件限制地计算涡旋系统的激活能。该结果对来自 Bi2Sr2CaCu2O8+xBi_2Sr_2CaCu_2O_{8+x} 超导体的电流衰减测量是准确的。

关键词

引用

@article{arxiv.1003.0749,
  title  = {Mathematical model of flux relaxation phenomenon},
  author = {Rongchao Ma},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1003.0749},
  year   = {2010}
}