利用半磁探针绘制量子阱本征态
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
我们展示了针对 CdTe 量子阱的透射测量结果，这些量子阱沿生长轴的不同位置嵌入了薄的半磁 CdMnTe 探针层。探针的存在使我们能够通过两种独立的方法绘制概率密度函数：分析激子能量位置和激子塞曼分裂。我们应用这两种方法绘制了前三个量子阱本征态，发现两者均能产生同样准确的结果。
引用
@article{arxiv.0805.3903,
title = {Mapping of quantum well eigenstates with semimagnetic probes},
author = {Ł. Kłopotowski and A. Gruszczyńska and E. Janik and M. Wiater and P. Kossacki and G. Karczewski and T. Wojtowicz},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.3903},
year = {2009}
}
备注
Accepted for publication in Physical Review B