两维半填满 Hubbard 模型中的磁子与空穴激发

我们计算了半填满 Hubbard 模型的自旋和空穴激发谱以及光谱权重作为 $t/U$ 的函数。我们发现高能自旋谱对电荷涨落较为敏感。能量差 $\Delta(\pi,0)- \Delta(\pi/2,\pi/2)$，在 Heisenberg 模型中为负值，在 $t/U\approx 0.053(5)$ 时符号改变。空穴带宽与 $J$ 成正比，显著大于 t-J 模型中表现的更大。其在 ($\pi/2,\pi/2$) 处具有最小值，在反磁区边界上表现出极弱的色散。以 $U=3.1{\rm eV}$，$t=0.35{\rm eV}$ 为参数值，可很好地拟合 La$_2$CuO$_4$ 在 $T=10K$ 时的实验测量自旋谱。