t-J 模型中复合激发的精确对角化分析
强关联电子
2015-03-31 v1
摘要
我们研究了 t-J 模型中被周围自旋云修饰的掺杂空穴的光谱性质。这些复合空穴激发很好地刻画了角分辨光电子能谱中显著的能带结构。在一维 (1D) 半满情形下，我们识别出分别选取自旋子 (spinon) 和空穴子 (holon) 分支的复合算符。在空穴掺杂后，我们发现具有弦状自旋的复合空穴激发倾向于局域在动量空间的 处。这意味着此类复合激发应为实际的电子激发，因为自旋子和空穴子分支在此动量处合并。在二维 (2D) 情形下，我们发现具有更非局域自旋涨落的复合激发在费米能级附近具有更强的强度。二维中沿对角线 方向的复合能带结构与一维情形具有某些相似性，且此类非局域自旋涨落在高温超导铜氧化物中赝隙的形成中起着重要作用。
引用
@article{arxiv.1503.08291,
title = {Exact-Diagonalization Analysis of Composite Excitations in the t-J Model},
author = {Takashi Otaki and Yuta Yahagi and Hiroaki Matsueda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.08291},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 25 figures