纳米结构中的磁电阻：非均匀电流的作用
介观与纳米尺度物理
2011-12-08 v2
摘要
我们开发了一种计算磁性纳米结构磁电阻的方法。我们将磁性圆盘离散化为小单元，并数值求解Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG)方程以获得其磁化分布。我们考虑各向异性磁电阻(AMR)作为磁电阻的主要来源，它依赖于局部磁化。然后，我们将其作为输入，使用松弛方法数值计算电阻和电流分布。我们展示了磁电阻测量如何有助于获取磁结构信息。此外，我们获得了静态和动态状态下不同磁构型的非均匀电流分布。
引用
@article{arxiv.1003.1323,
title = {Magnetoresistance in nanostructures: the role of nonuniform current},
author = {Tiago S. Machado and M. Argollo de Menezes and Tatiana G. Rappoport and Luiz C. Sampaio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.1323},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 6 figures