由磁性Berezinskii-Kosterlitz-Thouless转变驱动的磁电阻
介观与纳米尺度物理
2021-07-21 v1
摘要
尽管Berezinskii-Kosterlitz-Thouless转变(BKT)已被深入研究数十年，但磁性系统中明确的实验特征仍难以捉摸。在此，我们研究BKT转变附近电子与磁性自由度之间的相互作用。聚焦于具有易平面铁磁序的金属，我们建立一个框架，同时考虑电荷电流与拓扑磁缺陷流之间的耦合，以及电子在其非均匀自旋纹理上的散射。我们表明，电子散射导致了一种温度依赖的磁电阻效应，其标度正比于拓扑缺陷的密度，而该密度预期在BKT转变温度以上急剧增加。我们的发现呼吁进一步的实验研究。
引用
@article{arxiv.2104.12291,
title = {Magnetoresistance driven by the magnetic Berezinskii-Kosterlitz-Thouless transition},
author = {B. Flebus},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.12291},
year = {2021}
}