超导NbTiN薄膜中的电荷Berezinskii-Kosterlitz-Thouless相变
超导电性
2018-05-22 v1
摘要
在超导体-绝缘体相变(SIT)发现半个世纪后，该理论的一个基本预测——预期发生在SIT绝缘侧的电荷Berezinskii-Kosterlitz-Thouless(BKT)相变——仍未被观测到。电荷BKT相变是与涡旋BKT相变对偶的现象，后者是二维超导性作为有限温度下出现的零电阻态得以存在的核心。这一对偶图像指出了在有限温度下存在具有零电导的超绝缘态的可能性。在此，我们报告了在SIT绝缘侧观测到的电荷BKT相变，通过电阻的临界行为加以识别。我们发现电荷BKT相变的临界温度依赖于磁场，首先表现出快速增长，然后在远小于上临界场的磁场处达到最大值。最后，我们确定了有限静电屏蔽长度的影响及其在磁场调控趋近超导体-绝缘体相变时的发散行为。
引用
@article{arxiv.1707.09679,
title = {Charge Berezinskii-Kosterlitz-Thouless transition in superconducting NbTiN films},
author = {Alexey Yu. Mironov and Daniel M. Silevitch and Thomas Proslier and SvetlanaV. Postolova and Maria V. Burdastyh and Anton K. Gutakovskii and Thomas F. Rosenbaum and Valerii M. Vinokur and Tatyana I. Baturina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.09679},
year = {2018}
}
备注
9 pages, 6 figures