氢化石墨烯中的磁电阻与磁有序指纹

本文从理论上探索了经氢吸附原子随机分布化学修饰的石墨烯电导率中自旋依赖的特性。采用基于第一性原理计算的平均场自洽哈伯德模型来处理自旋效应。利用久保-格林伍德输运方法，计算了具有实际尺寸的弱氢化石墨烯基体系的自旋依赖输运指纹。由小石墨烯超胞的平均场解出发，构建了顺磁、反铁磁或铁磁宏观态，并得到了其电导率响应。在氢密度约为0.25%时，计算得到的磁电阻信号高达$\sim 7\%$。这些理论结果可为实验观测石墨烯中诱导磁性提供指导。