反铁磁性范德瓦耳斯双层的磁电响应
介观与纳米尺度物理
2021-03-15 v3
摘要
我们预测，由范德瓦耳斯（vdW）材料（如双层 CrI）构成的反铁磁性双层具有强烈的磁电响应，可通过测量法拉第或克尔旋转信号、总磁化强度或反常霍尔电导的栅压依赖性来探测。在单栅极几何结构中，以及在允许内部电场和总载流子密度独立变化的双栅极几何结构中，均可能产生强烈效应。我们讨论了密度泛函理论对范德瓦耳斯双层中层间磁相互作用估计的可靠性，以及磁相互作用对改变层间空间分离的压力的敏感性。
引用
@article{arxiv.1902.06418,
title = {Magnetoelectric Response of Antiferromagnetic Van der Waals Bilayers},
author = {Chao Lei and Bheema Lingam Chittari and Kentaro Nomura and Nepal Banerjee and Jeil Jung and Allan H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.06418},
year = {2021}
}
备注
This is the version for publish, the SI can be found in previous version