高电子密度 GaAs 量子阱中的磁红外吸收
凝聚态物理
2009-10-31 v1
摘要
我们对高度掺杂的 GaAs 量子阱进行磁红外吸收测量，该量子阱已脱落并粘接至硅衬底，以研究共挥极化子相互作用。结果发现，离心能的固定位置位于 GaAs 横向光声子能量附近。这一意想不到的结果通过一种考虑量子阱完整介电常数的模型得到了解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0012008,
title = {Magneto infra-red absorption in high electronic density GaAs quantum wells},
author = {A. J. L. Poulter and J. Zeman and D. K. Maude and M. Potemski and G. Martinez and A. Riedel and R. Hey and K. J. Friedland},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0012008},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, to be published in Phys. Rev. Lett