高密度、高迁移率量子阱系统中的磁声子共振
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了一系列单GaAs量子阱样品中的磁声子共振（MPR）效应，这些样品在相邻的短周期AlAs/GaAs超晶格中对称调制掺杂。观察到两个不同的MPR系列，分别源于和X电子与GaAs和AlAs纵向光学（LO）声子的相互作用。这明确证实了AlAs超晶格量子阱中存在X电子，此前曾用其解释这些结构中的高电子迁移率（Friedland et al. Phys. Rev. Lett. 77, 4616 (1996)）。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601440,
title = {Magnetophonon resonance in high density, high mobility quantum well systems},
author = {C. Faugeras and D. K. Maude and G. Martinez and L. B. Rigal and C. Proust and K. -J. Friedland and R. Hey and K. H. Ploog},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601440},
year = {2007}
}