关联氧化物界面的磁有序态:随机氧缺陷的作用
强关联电子
2013-04-09 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
利用一个包含无序的有效单带哈伯德模型,我们考虑了关联氧化物界面的磁态,其中由于电子和离子重构,出现了有效的空穴自掺杂和磁有序态。通过采用相干势近似,我们分析了随机氧空位对二维磁性的影响。我们发现随机空位增强了铁磁有序态,并在约c=0.1的临界空位浓度以上稳定了强健的磁化强度。在强关联区域,我们还观察到磁化强度随空位浓度增加的非单调增长以及磁矩的显著增加,这可以在氧还原的高温铜氧化物界面实现。
引用
@article{arxiv.1205.1981,
title = {Magnetically ordered state at correlated oxide interfaces: the role of random oxygen defects},
author = {Natalia Pavlenko and Thilo Kopp},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.1981},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 2 figures, submitted to J Supercond Novel Magnetism (ICSM12 conference contribution)